Архив
11декабря
январяфевралямартаапрелямаяиюняиюляавгустасентябряоктябряноябрядекабря
2018
20182017201620152014201320122011201020092008
ПнВтСрЧтПтСбВс
Перейти
Прочтений: 3078В Томске, Технологии, ТГУ, Ученые

Физики из Томска создают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК

Физики из Томска создают полупроводники нового поколения для космоса и ВПК
пресс-служба ТГУ

Физики ТГУ совместно с индустриальным партнером АО НПФ «Микран» разрабатывают мощные транзисторы с высокой подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor — HEMT) для изделий гражданского, оборонного и космического назначения для осуществления сотовой, спутниковой и радиосвязи на высоких частотах, сообщает пресс-служба вуза.

«Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов, применяемых для производства гетероструктуры. Для производства современных НЕМТ используют многослойные тонкопленочные гетероструктуры, функциональные характеристики которых могут быть улучшены за счет нитридных соединений индия-алюминия-галлия в сочетаниях, которые ранее промышленно не использовались», — говорит научный руководитель проекта, директор НОЦ «Наноэлектроника», профессор кафедры физики полупроводников ФФ ТГУ Валентин Брудный.

По его словам, сейчас для производства транзисторов применяются полупроводники, которые обеспечивают высокие рабочие частоты, но имеют малые выходные мощности из-за особенностей их электронных свойств. Применение полупроводниковых нитридов для производства НЕМТ-транзисторов и, в частности, гетероструктуры InAlN/GaN позволит увеличить их удельную мощность, повысить термическую стабильность и устойчивость к внешним высокоэнергетическим воздействиям.

В процессе изготовления HEMT летучие металл-органические соединения будут послойно наноситься на подложку из карбида кремния. Суммарная толщина всех слоев составит несколько микрометров, что в десятки раз меньше диаметра человеческого волоса.

Работы по созданию НЕМТ на основе гетероструктуры InAlN/GaN начаты в ряде фирм во всем мире, но их промышленное производство в настоящее время отсутствует.

По окончании проекта ТГУ должен подготовить технологическую документацию для передачи «Микрану», который приступит к промышленному выпуску таких НЕМТ-транзисторов.

Разработка осуществляется специалистами в рамках федеральной программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014-2020 годы». Сумма разработки — 300 миллионов рублей, из которых 150 миллионов — субсидия от Минобрнауки РФ, вторая половина — вложение индустриального партнера. Окончание работ намечено на декабрь 2019 года.

Следите за нашим Telegram, чтобы не пропускать самое интересное

Комментарии (15)

F

Да, остро стоит необходимость в создании  нового чудо-оружия

-2

Fedya написал(а):

Да, остро стоит необходимость в создании  нового чудо-оружия

не зря вам пенсионный возраст хотят повысить. ПЕНСИОННАЯ РЕФОРМА- НАШЕ ВСЁ!!!!

Fedya написал(а):

остро стоит необходимость в создании  нового чудо-оружия

Теодор,вопрос с физиками уже решён,теперь настала очередь лириков..!!

4

Господа журналисты!
Все-таки, эту новость правильней оставить для научных изданий.
И еще:
- Во втором абзаце фраза,- "Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов, применяемых для производства гетероструктуры."
Как связаны повышение удельной мощности транзисторов и их дальнодействие?
Дальнодействие чего, транзистора? Не понять.
Как-то, не по русски...

F

вещь_в_себее написал(а):
Fedya написал(а):

остро стоит необходимость в создании  нового чудо-оружия

Теодор,вопрос с физиками уже решён,теперь настала очередь лириков..!!

По лирической части у нас трактористы и шахтёры отряда  Гиркина,у них в военторге накопительные скидки

-9

Жень Шень написал(а):

Господа журналисты!
Все-таки, эту новость правильней оставить для научных изданий.
И еще:
- Во втором абзаце фраза,- "Проблема повышения удельной мощности транзисторов и тем самым их дальнодействия будет решаться с помощью нового химического состава полупроводниковых материалов, применяемых для производства гетероструктуры."
Как связаны повышение удельной мощности транзисторов и их дальнодействие?
Дальнодействие чего, транзистора? Не понять.
Как-то, не по русски...

господяяяя  ты в печках не разбираешься а лезешь в высокие материи,

Физики.. нашего учителя физики мы звали чайником, военрука тараканом.. школьные годы были прекрасны))

2

На станке отечественного производства? Они вообще есть в природе?

edichka написал(а):

Физики.. нашего учителя физики мы звали чайником, военрука тараканом.. школьные годы были прекрасны))

трудовик - батя?)

T
6

Интересно, какое дальнодействие по ГОСТу у КТ315-го?))

Странно, что при таком объеме публикуемой информации связанной с наукой, у портала нет никакой профильной редактуры.

Полагаю, что коллективу исследователей и разработчиков очень обидно читать новости про свои достижения в подобном изложении.

Стас Линдовер, не, у нашей одноклассницы батя в этой же школе физруком был, Афон кличка. Классный мужик был, жаль помер уже..

R
2

Полагаю, дальнодействие относится к передающим устройствам, основанным на новых транзисторах)

Д
-1

rashamba,  Ну, слово "дальнобойность" как-то применяется в околонаучных кругах, но "дальнодействие"...

Э, хоре тут айкью меряться!))

Добавлено спустя 1 минуту
Здесь обычный чат-болталка, а не околонаучный форум))

Работы проводит Микран  (у них в НИИПП "Микроэлектроника" все помещения изнутри отделаны  сайдингом), из ТГУ  несколько спецов и гос. финансирование.
"дальнодействие транзистора" - это ошибка журналиста (гуманитария).

Новости СМИ, 18+

Нашли опечатку — Ctrl+Enter

Редакция новостей: (3822) 902-904

×
Страница:
Ошибка:
Комментарий:
Сообщение отправлено. Спасибо за участие!
Произошла ошибка. Пожалуйста, попробуйте еще раз.
×